| Marchio: | Crystro |
| Numero di modello: | SCR-2026-27-01 |
| Tempo di consegna: | 5-6 SETTIMANE |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
Substrato monocristallo di alluminato di lantanio LaAlO3 per film sottile superconduttore ad alta temperatura e magnetoresistenza gigante
L'ossido di alluminio e lantanio (LaAlO3) è un materiale di substrato monocristallo superconduttore ad alta temperatura. È un eccellente materiale di substrato per la crescita epitassiale di film sottili superconduttori ad alta temperatura e film sottili magnetici giganti. Le sue proprietà dielettriche superiori lo rendono adatto alla fabbricazione di amplificatori a microonde a bassa perdita e dispositivi risonanti dielettrici.
| Misurare | Φ76,2 mm |
| Spessore | 0,5 mm o personalizzazione del cliente |
| Lucidatura | Lancio doppio o singolo |
| Ottica di cristallo | <100>,<110>,<111> |
| Rugosità superficiale Ra | Ra ≤ 1 nm |
| Precisione cristallina | ±0,2° |
| Precisione del bordo di posizionamento | 2° (personalizzabile entro 1°) |
Il cristallo singolo di alluminato di lantanio (LaAlO3) è un tipo di materiale monocristallino con substrato a film sottile HTS industriale di grandi dimensioni. Il cristallo LaAlO3 si adatta bene a molti tipi di materiali strutturali di perovskite ed è il materiale di substrato per la crescita epitassiale di film superconduttori ad alta temperatura e film di magnetoresistenza gigante. Allo stesso tempo, i cristalli di lantanio e alluminio hanno una costante dielettrica bassa e buone prestazioni dielettriche a microonde, quindi sono adatti per dispositivi amplificatori a microonde a bassa perdita e applicazioni di risonanza dielettrica.
Caratteristiche principali:
Bassa perdita dielettrica
Il reticolo si abbina bene
Piccolo coefficiente di dilatazione termica
Buona stabilità chimica
Buona stabilità termica
Applicazioni tipiche:
Substrato di estensione a film sottile superconduttore ad alta temperatura
Rivestimento esterno in pellicola magnetica gigante
Amplificazione a microonde e risonanza dielettrica
| Marchio: | Crystro |
| Numero di modello: | SCR-2026-27-01 |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
Substrato monocristallo di alluminato di lantanio LaAlO3 per film sottile superconduttore ad alta temperatura e magnetoresistenza gigante
L'ossido di alluminio e lantanio (LaAlO3) è un materiale di substrato monocristallo superconduttore ad alta temperatura. È un eccellente materiale di substrato per la crescita epitassiale di film sottili superconduttori ad alta temperatura e film sottili magnetici giganti. Le sue proprietà dielettriche superiori lo rendono adatto alla fabbricazione di amplificatori a microonde a bassa perdita e dispositivi risonanti dielettrici.
| Misurare | Φ76,2 mm |
| Spessore | 0,5 mm o personalizzazione del cliente |
| Lucidatura | Lancio doppio o singolo |
| Ottica di cristallo | <100>,<110>,<111> |
| Rugosità superficiale Ra | Ra ≤ 1 nm |
| Precisione cristallina | ±0,2° |
| Precisione del bordo di posizionamento | 2° (personalizzabile entro 1°) |
Il cristallo singolo di alluminato di lantanio (LaAlO3) è un tipo di materiale monocristallino con substrato a film sottile HTS industriale di grandi dimensioni. Il cristallo LaAlO3 si adatta bene a molti tipi di materiali strutturali di perovskite ed è il materiale di substrato per la crescita epitassiale di film superconduttori ad alta temperatura e film di magnetoresistenza gigante. Allo stesso tempo, i cristalli di lantanio e alluminio hanno una costante dielettrica bassa e buone prestazioni dielettriche a microonde, quindi sono adatti per dispositivi amplificatori a microonde a bassa perdita e applicazioni di risonanza dielettrica.
Caratteristiche principali:
Bassa perdita dielettrica
Il reticolo si abbina bene
Piccolo coefficiente di dilatazione termica
Buona stabilità chimica
Buona stabilità termica
Applicazioni tipiche:
Substrato di estensione a film sottile superconduttore ad alta temperatura
Rivestimento esterno in pellicola magnetica gigante
Amplificazione a microonde e risonanza dielettrica