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SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films

Name: SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: SCR-2026-26-02
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	SCR-2026-26-02
Tempo di consegna:	5-6 SETTIMANE
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Materiali:

SGGG

Formula molecolare:

Gd3GasO12 sostituito

Struttura cristallina:

Sistema di cristalli cubici

Ingraticci costante:

a=12.497 A

Metodi di coltivazione:

Czochralski

Durezza di Mohs:

7.5

Densità:

70,09 g/cm3

Punto di fusione:

1730°C

Coefficiente di riflessione:

1.954 a 1064 nm

Evidenziare:

SGGG Crystal substrate for epitaxial growth

Ca-Mg-Zr doped Gadolinium Gallium Garnet

Bismuth iron garnet thin film material

Descrizione del prodotto

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films, high optical uniformity and stable crystal lattice structure for magneto-optical devices.

Gadolinium gallium garnet (GGG) substrates, one of the earliest developed materials for use as substrates, are unsuitable due to their extremely small lattice constants. As a result, SGGG crystals, which use calcium, magnesium, and zirconium as substitution ions, are more suitable as substrates for bismuth-iron garnet epitaxial films.

Indicator Name	Dimensions or Other Information	Reference Indicators
Dimensic	Nominal Size	3/4inch
Diameter (mm)	3"	76.20±0.3
	4"	101.60±0.3
Thickness (um)	3"	630±30
	4"	800±30 or custom
Crystaloptics	/	(111)±0.1°
Lattice constant	/	12.497±0.003A
Position the edges	Main positioning edge	[-110]±2°
	Sub-position the edges	[-1-12]±2°
Surface Quality	Flatness (degree)	Maximum value minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	TTV	Maximum value - minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	Dislocations (dislocations)	Within 80% coverage area, center region <10/cm2
		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area
Other Defects (Extrudedsurface)		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area

Key features:

Low fault density.

High consistency in lattice constants.

Typical applications:

The substrate material for BIG magnetoelectric epitaxial films.

Magnetic refrigeration.

Tag:

LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film

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High Lattice Constant 12.383A Achieving Superior Performance with 0.5 Mm Thickness

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Substrati a cristallo singolo

SGGG Crystal (Ca-Mg-Zr Doped Gadolinium Gallium Garnet), professional substrate material specially applied for epitaxial growth of bismuth iron garnet thin films

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Marchio:	Crystro
Numero di modello:	SCR-2026-26-02
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Luogo di origine:

Cina

Marca:

Crystro

Numero di modello:

SCR-2026-26-02

Materiali:

SGGG

Formula molecolare:

Gd3GasO12 sostituito

Struttura cristallina:

Sistema di cristalli cubici

Ingraticci costante:

a=12.497 A

Metodi di coltivazione:

Czochralski

Durezza di Mohs:

7.5

Densità:

70,09 g/cm3

Punto di fusione:

1730°C

Coefficiente di riflessione:

1.954 a 1064 nm

Tempi di consegna:

5-6 SETTIMANE

Termini di pagamento:

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Ca-Mg-Zr doped Gadolinium Gallium Garnet

Bismuth iron garnet thin film material

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Dimensic	Nominal Size	3/4inch
Diameter (mm)	3"	76.20±0.3
	4"	101.60±0.3
Thickness (um)	3"	630±30
	4"	800±30 or custom
Crystaloptics	/	(111)±0.1°
Lattice constant	/	12.497±0.003A
Position the edges	Main positioning edge	[-110]±2°
	Sub-position the edges	[-1-12]±2°
Surface Quality	Flatness (degree)	Maximum value minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	TTV	Maximum value - minimum value within 80% coverage area center ≤6um
	Dislocations (dislocations)	Within 80% coverage area, center region <10/cm2
		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area
Other Defects (Extrudedsurface)		Within 10% of the center area covering 80% of the total surface area

Key features:

Low fault density.

High consistency in lattice constants.

Typical applications:

The substrate material for BIG magnetoelectric epitaxial films.

Magnetic refrigeration.

Tag:

LaAlO3 Lanthanum Aluminate Single Crystal Substrate for High-Temperature Superconducting & Giant Magnetoresistance Thin Film

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Cristalli a magneto ottico

Substrati a cristallo singolo

Cristalli ad effetto piezoelettrico

Isolatore di Faraday

Cristalli di scintillazione

Cristali laser

Interruttore Pockels Cell Q

Altri cristalli singoli

Cristallo di TGG

Cristallo di TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristali di commutazione

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Substrati a cristallo singolo

Cristalli ad effetto piezoelettrico

Isolatore di Faraday

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Interruttore Pockels Cell Q

Altri cristalli singoli

Cristallo di TGG

Cristallo di TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristali di commutazione

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SGGG Crystal substrate for epitaxial growth

Ca-Mg-Zr doped Gadolinium Gallium Garnet

Bismuth iron garnet thin film material

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Cristalli ad effetto piezoelettrico

Isolatore di Faraday

Cristalli di scintillazione

Cristali laser

Interruttore Pockels Cell Q

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GGG Crystal

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