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Substrato SGGG di grandi dimensioni da 4 pollici, cristallo singolo di granato di gallio e gadolinio, lucidato di grado EPI (111), rotatore di Faraday per moduli ottici 1.6T/CPO, epitassia di film magneto-ottici ad alta capacità

Substrato SGGG di grandi dimensioni da 4 pollici, cristallo singolo di granato di gallio e gadolinio, lucidato di grado EPI (111), rotatore di Faraday per moduli ottici 1.6T/CPO, epitassia di film magneto-ottici ad alta capacità

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	SCR-2026-08-26-03
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union,

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Dimensione nominale:

4 pollici (Φ101,6 mm)

Struttura cristallina:

Cubico, gruppo spaziale Ia3d

Ingraticci costante:

12,497 ± 0,003Å

Rugosità superficiale:

Ra ≤ 1 nm, EPI pronto

Planarità (Max-Min):

≤ 6 μm（80% area effettiva centrale）

Variazione dello spessore totale:

≤ 6 µm

Densità di dislocazione:

≤ 10 cm⁻²（ 80% area centrale）

Uniformità del reticolo:

Wafer intero ≤ 0,003Å

Costante dielettrica:

ε ≈ 30

Evidenziare:

Substrato SGGG da 4 pollici per rotatore di Faraday

Gallio Garnet Single Crystal Substrate del gadolinio

Substrato lucidato di grado EPI per moduli ottici

Descrizione del prodotto

Substrato SGGG di grandi dimensioni da 4 pollici, cristallo singolo di granato di gallio gadolinio, lucidato di grado EPI (111), rotatore di Faraday per moduli ottici 1.6T/CPO, epitassia di film magneto-ottico ad alta capacità

Il substrato SGGG di grandi dimensioni da 4 pollici è una specifica di fascia alta per le comunicazioni ottiche ad alta velocità di prossima generazione (1.6T/CPO) e le linee di produzione su larga scala. Con un diametro di 101,6 mm e uno spessore standard di 800 ± 30 µm (o personalizzato), si basa sulla tecnologia di crescita di cristalli singoli di grandi dimensioni. Uniformità della costante reticolare dell'intero wafer ≤ 0,003 Å, densità di dislocazione ≤ 10 cm⁻², e area effettiva ≥ 80%. L'output di chip rotatori per wafer aumenta di circa il 75% rispetto ai 3 pollici, riducendo significativamente il costo per chip.

La crescita di cristalli SGGG di grandi dimensioni è tecnicamente impegnativa, richiedendo un rigoroso controllo del campo termico, purezza delle materie prime e processi di ricottura. Attraverso la crescita Czochralski ottimizzata e la ricottura multistadio, questo prodotto raggiunge una qualità cristallina a basso stress, a basso assorbimento e ad alta uniformità. Combinato con piani primari/secondari e lucidatura super-liscia di grado EPI, soddisfa i requisiti di produzione di massa su larga scala delle apparecchiature di epitassia di film magneto-ottico di fascia alta.

Funzioni Chiave

Substrato di grandi dimensioni per l'era 1.6T/CPO:

Le grandi dimensioni da 4 pollici si adattano alla produzione di massa di rotatori di moduli ad alta velocità di prossima generazione, più chip per wafer

Costo per chip inferiore:

Area effettiva circa il 75% più grande rispetto ai 3 pollici, diluisce i costi di epitassia, taglio e ispezione

Epitassia di film magneto-ottico di fascia alta:

L'elevata uniformità reticolare garantisce uno spessore del film BIG su larga area e la coerenza delle prestazioni magneto-ottiche

Materiale di base per la sostituzione domestica:

Rompe il monopolio estero sui substrati SGGG di grandi dimensioni, supporta l'indipendenza della catena di approvvigionamento dei moduli ottici domestici

Tag:

substrato laalo3

elementi di monocristallo

alluminato del lantanio

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Marchio:	Crystro
Numero di modello:	SCR-2026-08-26-03
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union,

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

Cina

Marca:

Crystro

Numero di modello:

SCR-2026-08-26-03

Dimensione nominale:

4 pollici (Φ101,6 mm)

Struttura cristallina:

Cubico, gruppo spaziale Ia3d

Ingraticci costante:

12,497 ± 0,003Å

Rugosità superficiale:

Ra ≤ 1 nm, EPI pronto

Planarità (Max-Min):

≤ 6 μm（80% area effettiva centrale）

Variazione dello spessore totale:

≤ 6 µm

Densità di dislocazione:

≤ 10 cm⁻²（ 80% area centrale）

Uniformità del reticolo:

Wafer intero ≤ 0,003Å

Costante dielettrica:

ε ≈ 30

Termini di pagamento:

T/T, Western Union,

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Gallio Garnet Single Crystal Substrate del gadolinio

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Le grandi dimensioni da 4 pollici si adattano alla produzione di massa di rotatori di moduli ad alta velocità di prossima generazione, più chip per wafer

Costo per chip inferiore:

Area effettiva circa il 75% più grande rispetto ai 3 pollici, diluisce i costi di epitassia, taglio e ispezione

Epitassia di film magneto-ottico di fascia alta:

L'elevata uniformità reticolare garantisce uno spessore del film BIG su larga area e la coerenza delle prestazioni magneto-ottiche

Materiale di base per la sostituzione domestica:

Rompe il monopolio estero sui substrati SGGG di grandi dimensioni, supporta l'indipendenza della catena di approvvigionamento dei moduli ottici domestici

Tag:

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