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Un buon prezzo.  in linea

Dettagli dei prodotti

Created with Pixso. Casa. Created with Pixso. prodotti Created with Pixso.
Wafer LaAlO3
Created with Pixso. 6.52g/Cm3 Film sottile rotondo cristalli di Wafer LaAlO3 doppio lato levigato

6.52g/Cm3 Film sottile rotondo cristalli di Wafer LaAlO3 doppio lato levigato

Marchio: Crystro
Numero di modello: CR210122-01
MOQ: 1pc
prezzo: Negoziabile
Tempo di consegna: 3-4 settimane
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
CINESE
Certificazione:
SGS
Materiale:
Substrati Laalo a cristallo singolo personalizzabili
orientamento:
Il numero di unità di produzione è il seguente:
Precisione di nuovo indirizzo:
±0.2°
Ra:
< 5A
Espansione termica:
9.4x10-6/℃
Polizione:
doppio lato lucidato
Costanti dielettrici:
ε=21
Tipo:
Giro, quadrato, appartamenti
Imballaggi particolari:
Imballaggio in cartone
Capacità di alimentazione:
1000 pezzi/mese
Evidenziare:

6.52 g/cm3 Wafer LaAlO3

,

Wafer LaAlO3 rotondo

,

6.52 g/Cm3 cristalli LaAlO3

Descrizione del prodotto

 

Proprietà principali:

 

Parametri principali
Struttura cristallina M6 ((normale temperatura) M3(> 435°C)
Costante di cella unitaria M6 a=5.357A c=13.22 A M3 a=3,821 A
Punto di fusione°C) 2080 °C
Densità 6.52 g/cm3)
Durezza 6-6.5 (mohs)
Espansione termica 9.4x10-6/°C
Costanti dielettrici ε=21
Perdita secante ((10 ghz) 3×10- 4@300k, ₹0.6×10- 4@77k
Colore e aspetto Per ricottare e le condizioni differiscono da marrone a marroncino
Stabilità chimica Insolubile in acidi minerali a temperatura ambiente, solubile inH3O.P.4 a temperature superiori a 150 °C
Caratteristiche per apparecchiature elettroniche a microonde
Metodo di crescita Metodo di Czochralski
Dimensione Dimensione su richiesta, il più grande diametro 3 pollici
F15,F20,F1′′,F2′′, F2.6′′,Fr3′′
Spessore 0.5 mm,1.0 mm
Polizione di larghezza superiore a 20 mm
Orientazione cristallina Classificazione:
precisione di reindirizzamento ± 0,5°
Riindirizzare il bordo: 2° (speciale in 1°)
Angolo di cristallino Dimensioni e orientamento speciali sono disponibili su richiesta
Ra: ≤ 5 μm × 5 μm
Imballaggio

Classe100 sacca pulita,classe1000 sacchetti puliti

 

 

 

Substrati Laalo a cristallo singolo personalizzabili

 

LaAlO3 è un substrato a cristallo singolo superconduttore ad alta temperatura.È un buon materiale di substrato per la crescita epitassiale di film sottili superconduttori ad alta temperatura e film sottili magnetici gigantiLe sue proprietà dielettriche sono idonee per applicazioni di microonde a bassa perdita e di risonanza dielettrica.

Anhui Crystro Crystal Materials Co., Ltd è specializzata nella ricerca e sviluppo della scienza e della tecnologia dei cristalli, il nostro
L'ambito di attività è principalmente concentrato nella ricerca e sviluppo di materiali cristallini ad alta tecnologia, nella produzione e nelle soluzioni multidisciplinari.autoveicoli, medica, estetica e altre industrie.

 

 

Applicazioni:

 

Dispositivi elettronici, catalisi, celle a combustibile ad alta temperatura, ceramica, trattamento delle acque reflue, materiali di substrato

 

Principali vantaggi:

 

Bassa costante dielettrica; bassa perdita dielettrica;buona corrispondenza reticolare;piccolo coefficiente di espansione termica;buona stabilità chimica;ampio gap energetico;grande superficie specifica;certa attività;buona stabilità termica

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Wafer LaAlO3
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6.52g/Cm3 Film sottile rotondo cristalli di Wafer LaAlO3 doppio lato levigato

Marchio: Crystro
Numero di modello: CR210122-01
MOQ: 1pc
prezzo: Negoziabile
Dettagli dell' imballaggio: Imballaggio in cartone
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
CINESE
Marca:
Crystro
Certificazione:
SGS
Numero di modello:
CR210122-01
Materiale:
Substrati Laalo a cristallo singolo personalizzabili
orientamento:
Il numero di unità di produzione è il seguente:
Precisione di nuovo indirizzo:
±0.2°
Ra:
< 5A
Espansione termica:
9.4x10-6/℃
Polizione:
doppio lato lucidato
Costanti dielettrici:
ε=21
Tipo:
Giro, quadrato, appartamenti
Quantità di ordine minimo:
1pc
Prezzo:
Negoziabile
Imballaggi particolari:
Imballaggio in cartone
Tempi di consegna:
3-4 settimane
Termini di pagamento:
T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Capacità di alimentazione:
1000 pezzi/mese
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6.52 g/cm3 Wafer LaAlO3

,

Wafer LaAlO3 rotondo

,

6.52 g/Cm3 cristalli LaAlO3

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Proprietà principali:

 

Parametri principali
Struttura cristallina M6 ((normale temperatura) M3(> 435°C)
Costante di cella unitaria M6 a=5.357A c=13.22 A M3 a=3,821 A
Punto di fusione°C) 2080 °C
Densità 6.52 g/cm3)
Durezza 6-6.5 (mohs)
Espansione termica 9.4x10-6/°C
Costanti dielettrici ε=21
Perdita secante ((10 ghz) 3×10- 4@300k, ₹0.6×10- 4@77k
Colore e aspetto Per ricottare e le condizioni differiscono da marrone a marroncino
Stabilità chimica Insolubile in acidi minerali a temperatura ambiente, solubile inH3O.P.4 a temperature superiori a 150 °C
Caratteristiche per apparecchiature elettroniche a microonde
Metodo di crescita Metodo di Czochralski
Dimensione Dimensione su richiesta, il più grande diametro 3 pollici
F15,F20,F1′′,F2′′, F2.6′′,Fr3′′
Spessore 0.5 mm,1.0 mm
Polizione di larghezza superiore a 20 mm
Orientazione cristallina Classificazione:
precisione di reindirizzamento ± 0,5°
Riindirizzare il bordo: 2° (speciale in 1°)
Angolo di cristallino Dimensioni e orientamento speciali sono disponibili su richiesta
Ra: ≤ 5 μm × 5 μm
Imballaggio

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Substrati Laalo a cristallo singolo personalizzabili

 

LaAlO3 è un substrato a cristallo singolo superconduttore ad alta temperatura.È un buon materiale di substrato per la crescita epitassiale di film sottili superconduttori ad alta temperatura e film sottili magnetici gigantiLe sue proprietà dielettriche sono idonee per applicazioni di microonde a bassa perdita e di risonanza dielettrica.

Anhui Crystro Crystal Materials Co., Ltd è specializzata nella ricerca e sviluppo della scienza e della tecnologia dei cristalli, il nostro
L'ambito di attività è principalmente concentrato nella ricerca e sviluppo di materiali cristallini ad alta tecnologia, nella produzione e nelle soluzioni multidisciplinari.autoveicoli, medica, estetica e altre industrie.

 

 

Applicazioni:

 

Dispositivi elettronici, catalisi, celle a combustibile ad alta temperatura, ceramica, trattamento delle acque reflue, materiali di substrato

 

Principali vantaggi:

 

Bassa costante dielettrica; bassa perdita dielettrica;buona corrispondenza reticolare;piccolo coefficiente di espansione termica;buona stabilità chimica;ampio gap energetico;grande superficie specifica;certa attività;buona stabilità termica