Brief: Scopri il substrato ottico per wafer rotondo LaAlO3, un substrato a doppia faccia lucidata in fase sperimentale ad alta pressione, ideale per film sottili superconduttori ad alta temperatura e applicazioni a microonde. Perfetto per dispositivi elettronici, catalisi e altro.
Related Product Features:
Substrato monocristallino superconduttore ad alta temperatura per la crescita epitassiale.
Ottima corrispondenza reticolare con materiali a struttura perovskitica.
Bassa perdita dielettrica adatta per applicazioni a microonde e risonanza dielettrica.
Un basso coefficiente di dilatazione termica garantisce stabilità a temperature variabili.
Buona stabilità chimica, insolubile in acidi minerali a 25°C.
Aspetto da trasparente a marrone con geminazioni visibili su substrato lucidato.
Ampio intervallo di energia e ampia superficie specifica per prestazioni migliorate.
Buona stabilità termica, punto di fusione a 2080°C.
Interrogazioni:
Quali sono le principali applicazioni del substrato ottico per wafer Round LaAlO3?
È utilizzato in dispositivi elettronici, catalisi, celle a combustibile ad alta temperatura, ceramiche, trattamento delle acque reflue e come materiale di substrato per la crescita epitassiale di film sottili superconduttori ad alta temperatura.
Quali sono i vantaggi dell'utilizzo di LaAlO3 come materiale substrato?
LaAlO3 offre una piccola costante dielettrica, basse perdite dielettriche, un buon adattamento del reticolo, un piccolo coefficiente di espansione termica, una buona stabilità chimica, un'ampia banda proibita, un'elevata area superficiale specifica e una buona stabilità termica.
Come si comporta il substrato LaAlO3 ad alte temperature?
LaAlO3 ha un alto punto di fusione di 2080°C e una buona stabilità termica, che lo rende adatto per applicazioni ad alta temperatura come celle a combustibile e dispositivi elettronici.