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| Marchio: | Crystro |
| Numero di modello: | CR220304-02 |
| MOQ: | 1pc |
| prezzo: | USD 20~200/pc |
| Tempo di consegna: | 1-4 settimane |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
6 pollici Orange Fe Doped LT Litio Tantalato Wafer Alta densità
Arancione Wafer in Fe dopato LT (tantalato di litio) per l'archiviazione di informazioni olografiche ad alta densità
Il cristallo di tantalo di litio (LT) LiTaO3 è un importante materiale cristallino multifunzionale con eccellenti effetti piezoelettrici, ferroelettrici, acustico-ottici ed elettro-ottici.è diventato un materiale funzionale di base nel campo dei dispositivi per onde acustiche di superficie (SAW), la comunicazione ottica, il laser e l'optoelettronica.Il wafer LT levigato è ampiamente utilizzato nella fabbricazione di risonatori, filtri, trasduttori e altri dispositivi di comunicazione elettronica,specialmente per il suo buon accoppiamento meccanico ed elettricoLa tecnologia è utilizzata per la produzione di dispositivi acustici ad alta frequenza e per l'uso in molti telefoni cellulari, intercom,comunicazione via satellite, aerospaziale e altri settori della comunicazione.
Proprietà di base del LiTaO3:
| Struttura cristallina | Trigonale |
| Costante di reticolo | a=5,154Å,c=13,783Å |
| Densità | 70,45 g/cm3 |
| Punto di fusione | 1650°C |
| Punto Curie | 603±2°C |
| Durezza di Mohs | 5.5-6 Mohs |
| Costante dielettrica | es11/eo:39~43, es33/eo:42~43".Et11/eo:51~54, et33/eo:43~46 |
| Conduttività termica | 1015wm |
| Coefficiente di espansione termica | a1=a2=1.61×10-6/°C, a3=4,1×10-6/°C |
| Indici di rifrazione | n0=2,176 ne=2,180 @ 633mn |
| Coefficiente E-O | R33 = 30.4 |
| Fattore di accoppiamento elettromeccanico | R15≥0.3 |
| coefficiente piroelettrico | 2.3×10-7 C/cm2/K |
| gamma di trasmissione | 400-5000 nm |
Specificità tipiche:
| Dimensione | Boule o wafer, di qualità acustica o ottica |
| Doping | Fe, senza doping o con Fe |
| Lunghezza della bolla | ≥ 50 mm |
| Spessore della wafer | 0.25,0.35,0.50 ((mm) |
| Orientazione | Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta |
| Processo superficiale | Polizione mono/doppia |
| TTV | < 10 μm |
| BIO | BOW ± (25μm ~ 40um) |
| Warp. | ≤ 35 μm |
| Larghezza piana | 32.0±2.0(mm) o su richiesta |
| Roverezza | Ra≤10Å |
| Chamfe | ≤ 0,1 mm@45° |
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| Marchio: | Crystro |
| Numero di modello: | CR220304-02 |
| MOQ: | 1pc |
| prezzo: | USD 20~200/pc |
| Dettagli dell' imballaggio: | Scatola pulita trasparente |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
6 pollici Orange Fe Doped LT Litio Tantalato Wafer Alta densità
Arancione Wafer in Fe dopato LT (tantalato di litio) per l'archiviazione di informazioni olografiche ad alta densità
Il cristallo di tantalo di litio (LT) LiTaO3 è un importante materiale cristallino multifunzionale con eccellenti effetti piezoelettrici, ferroelettrici, acustico-ottici ed elettro-ottici.è diventato un materiale funzionale di base nel campo dei dispositivi per onde acustiche di superficie (SAW), la comunicazione ottica, il laser e l'optoelettronica.Il wafer LT levigato è ampiamente utilizzato nella fabbricazione di risonatori, filtri, trasduttori e altri dispositivi di comunicazione elettronica,specialmente per il suo buon accoppiamento meccanico ed elettricoLa tecnologia è utilizzata per la produzione di dispositivi acustici ad alta frequenza e per l'uso in molti telefoni cellulari, intercom,comunicazione via satellite, aerospaziale e altri settori della comunicazione.
Proprietà di base del LiTaO3:
| Struttura cristallina | Trigonale |
| Costante di reticolo | a=5,154Å,c=13,783Å |
| Densità | 70,45 g/cm3 |
| Punto di fusione | 1650°C |
| Punto Curie | 603±2°C |
| Durezza di Mohs | 5.5-6 Mohs |
| Costante dielettrica | es11/eo:39~43, es33/eo:42~43".Et11/eo:51~54, et33/eo:43~46 |
| Conduttività termica | 1015wm |
| Coefficiente di espansione termica | a1=a2=1.61×10-6/°C, a3=4,1×10-6/°C |
| Indici di rifrazione | n0=2,176 ne=2,180 @ 633mn |
| Coefficiente E-O | R33 = 30.4 |
| Fattore di accoppiamento elettromeccanico | R15≥0.3 |
| coefficiente piroelettrico | 2.3×10-7 C/cm2/K |
| gamma di trasmissione | 400-5000 nm |
Specificità tipiche:
| Dimensione | Boule o wafer, di qualità acustica o ottica |
| Doping | Fe, senza doping o con Fe |
| Lunghezza della bolla | ≥ 50 mm |
| Spessore della wafer | 0.25,0.35,0.50 ((mm) |
| Orientazione | Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta |
| Processo superficiale | Polizione mono/doppia |
| TTV | < 10 μm |
| BIO | BOW ± (25μm ~ 40um) |
| Warp. | ≤ 35 μm |
| Larghezza piana | 32.0±2.0(mm) o su richiesta |
| Roverezza | Ra≤10Å |
| Chamfe | ≤ 0,1 mm@45° |
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