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| Marchio: | Crystro |
| Numero di modello: | CR220304-02 |
| MOQ: | 1pc |
| prezzo: | USD 20~200/pc |
| Tempo di consegna: | 1-4 settimane |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
Arancione Wafer in Fe dopato LT (tantalato di litio) per l'archiviazione di informazioni olografiche ad alta densità
Il cristallo di tantalo di litio (LT) LiTaO3 è un importante materiale cristallino multifunzionale con eccellenti effetti piezoelettrici, ferroelettrici, acustico-ottici ed elettro-ottici.è diventato un materiale funzionale di base nel campo dei dispositivi per onde acustiche di superficie (SAW), la comunicazione ottica, il laser e l'optoelettronica.Il wafer LT levigato è ampiamente utilizzato nella fabbricazione di risonatori, filtri, trasduttori e altri dispositivi di comunicazione elettronica,specialmente per il suo buon accoppiamento meccanico ed elettricoLa tecnologia è utilizzata per la produzione di dispositivi acustici ad alta frequenza e per l'uso in molti telefoni cellulari, intercom,comunicazione via satellite, aerospaziale e altri settori della comunicazione.
Proprietà di base del LiTaO3:
| Struttura cristallina | Trigonale |
| Costante di reticolo | a=5,154Å,c=13,783Å |
| Densità | 70,45 g/cm3 |
| Punto di fusione | 1650°C |
| Punto Curie | 603±2°C |
| Durezza di Mohs | 5.5-6 Mohs |
| Costante dielettrica | es11/eo:39~43, es33/eo:42~43".Et11/eo:51~54, et33/eo:43~46 |
| Conduttività termica | 1015wm |
| Coefficiente di espansione termica | a1=a2=1.61×10-6/°C, a3=4,1×10-6/°C |
| Indici di rifrazione | n0=2,176 ne=2,180 @ 633mn |
| Coefficiente E-O | R33 = 30.4 |
| Fattore di accoppiamento elettromeccanico | R15≥0.3 |
| coefficiente piroelettrico | 2.3×10-7 C/cm2/K |
| gamma di trasmissione | 400-5000 nm |
Specificità tipiche:
| Dimensione | Boule o wafer, di qualità acustica o ottica |
| Doping | Fe, senza doping o con Fe |
| Lunghezza della bolla | ≥ 50 mm |
| Spessore della wafer | 0.25,0.35,0.50 ((mm) |
| Orientazione | Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta |
| Processo superficiale | Polizione mono/doppia |
| TTV | < 10 μm |
| BIO | BOW ± (25μm ~ 40um) |
| Warp. | ≤ 35 μm |
| Larghezza piana | 32.0±2.0(mm) o su richiesta |
| Roverezza | Ra≤10Å |
| Chamfe | ≤ 0,1 mm@45° |
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| Marchio: | Crystro |
| Numero di modello: | CR220304-02 |
| MOQ: | 1pc |
| prezzo: | USD 20~200/pc |
| Dettagli dell' imballaggio: | Scatola pulita trasparente |
| Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
Arancione Wafer in Fe dopato LT (tantalato di litio) per l'archiviazione di informazioni olografiche ad alta densità
Il cristallo di tantalo di litio (LT) LiTaO3 è un importante materiale cristallino multifunzionale con eccellenti effetti piezoelettrici, ferroelettrici, acustico-ottici ed elettro-ottici.è diventato un materiale funzionale di base nel campo dei dispositivi per onde acustiche di superficie (SAW), la comunicazione ottica, il laser e l'optoelettronica.Il wafer LT levigato è ampiamente utilizzato nella fabbricazione di risonatori, filtri, trasduttori e altri dispositivi di comunicazione elettronica,specialmente per il suo buon accoppiamento meccanico ed elettricoLa tecnologia è utilizzata per la produzione di dispositivi acustici ad alta frequenza e per l'uso in molti telefoni cellulari, intercom,comunicazione via satellite, aerospaziale e altri settori della comunicazione.
Proprietà di base del LiTaO3:
| Struttura cristallina | Trigonale |
| Costante di reticolo | a=5,154Å,c=13,783Å |
| Densità | 70,45 g/cm3 |
| Punto di fusione | 1650°C |
| Punto Curie | 603±2°C |
| Durezza di Mohs | 5.5-6 Mohs |
| Costante dielettrica | es11/eo:39~43, es33/eo:42~43".Et11/eo:51~54, et33/eo:43~46 |
| Conduttività termica | 1015wm |
| Coefficiente di espansione termica | a1=a2=1.61×10-6/°C, a3=4,1×10-6/°C |
| Indici di rifrazione | n0=2,176 ne=2,180 @ 633mn |
| Coefficiente E-O | R33 = 30.4 |
| Fattore di accoppiamento elettromeccanico | R15≥0.3 |
| coefficiente piroelettrico | 2.3×10-7 C/cm2/K |
| gamma di trasmissione | 400-5000 nm |
Specificità tipiche:
| Dimensione | Boule o wafer, di qualità acustica o ottica |
| Doping | Fe, senza doping o con Fe |
| Lunghezza della bolla | ≥ 50 mm |
| Spessore della wafer | 0.25,0.35,0.50 ((mm) |
| Orientazione | Y42°/Y36°/X/Y/Z o su richiesta |
| Processo superficiale | Polizione mono/doppia |
| TTV | < 10 μm |
| BIO | BOW ± (25μm ~ 40um) |
| Warp. | ≤ 35 μm |
| Larghezza piana | 32.0±2.0(mm) o su richiesta |
| Roverezza | Ra≤10Å |
| Chamfe | ≤ 0,1 mm@45° |
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