Marchio: | Crystro |
Numero di modello: | CR20200107-7 |
MOQ: | 1pc |
prezzo: | Negoziabile |
Tempo di consegna: | 2-4 settimane |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
Piesoelettrico Langasite La3Ga5SiO14 (LGS) cristallo può essere personalizzato
Cristallo di langasite (La3- Si '.5SiO14,LGS),Il gruppo di riferimento P321, gruppo di riferimento 32, è stato descritto come un nuovo materiale piezoelettrico promettente per la fabbricazione di dispositivi per onde acustiche superficiali (SAW) e di onde acustiche di massa (BAW).I dispositivi realizzati in cristallo di langasite possono essere utilizzati ad alte temperature fino a 900 °C a causa della sua elevata stabilità termica.
Silicato di gallio di lantano (La2- Si '.5SiO14Anche se la langasite è stata inizialmente sviluppata come cristallo laser, ha rivelato una straordinaria combinazione di qualità piezoelettriche,che ha aperto nuove opportunità di utilizzo del cristallo LGS nei dispositivi a radiofrequenzaLe principali applicazioni dei cristalli di langasite sono ora i filtri SAW e i risonatori SAW.Gli esperti sono d'accordo sul fatto che il LGS è la scelta migliore per dispositivi a banda larga ad alta efficienza perché possiede caratteristiche eccezionali di frequenza e temperatura, un indice di accoppiamento elettromeccanico molto elevato e un Q-factor senza pari.
Proprietà principali:
Struttura cristallina | sistema rigonale, gruppo 33 a= 8.1783 c = 5.1014 |
Metodo di crescita | Czochralski |
Durezza | 6.6 Mohs |
Densità | 50,754 g/cm3 |
Punto di fusione | 1470 o C (punto di transizione di fase: N/A) |
Espansione termica (x10-6/ oC) | A 11: 5.10 A 33: 3.61 |
Velocità acustica, SAW | 2400 (m/sec) |
Costante di frequenza, BAW | 1380 (kHz/mm) |
Accoppiamento piezoelettrico | K2 (%) BAW: 2,21 SAW: 0.3 |
Inclusioni | N0 |
Gruppo di punti | 32 |
Gruppo aereo | P32Io... |
resistenza specifica | 4.0×1012Ω/cm-1 |
Spessore | 0.13-0.5 mm |
Diametro | 50 mm |
Distanze | 90-100 mm |
Punto di fusione | 1470°C |
Densità | 50,67 g/cm3 |
Durezza di Mohs | 5.5 |
Coefficiente di espansione termica | aa=16×10-6/K, ac = 4 × 10-6/K |
Limita di danno fotografico | 670MV/cm2 |
Parametri delle celle | a=b=0,8162nm,c=0,5087nm |
Costante dielettrica | ε11= 18.27 |
ε33=55.26 | |
Coefficienti elettro-ottici | Γ11= 2,3 × 10- 12m/V |
Γ33= 1,8 × 10- 12m/V | |
Costante di deformazione piezoelettrica (10- 12) C/N |
d11= 6.3 |
d14=-5.4 | |
Velocità di fase, m/s | 2750 ¢ 2850 |
Coefficiente di accoppiamento elettromeccanico, K[ %] | 0.28-0.46 |
Solubilità | Nessuna |
Coefficiente di espansione termica | α11= 5,15 × 10-6K.-1 |
α33= 3,65 × 10-6K.-1 |
Caratteristiche:
Limite di danno elevato
Buona rotazione ottica
Riesce a sopportare variazioni di temperatura elevate e basse
Proprietà fisiche e chimiche stabili
Coefficiente di accoppiamento elettromeccanico elevato (3 volte quello del quarzo)
Basse resistenze equivalenti in serie
Applicazioni:
di una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm
Dispositivo SAW
Dispositivo BAW
Sensore
Laser ad alta potenza ad alta frequenza di ripetizione
Laser ad alta e bassa variazione di temperatura
Marchio: | Crystro |
Numero di modello: | CR20200107-7 |
MOQ: | 1pc |
prezzo: | Negoziabile |
Dettagli dell' imballaggio: | Scatola pulita trasparente |
Condizioni di pagamento: | T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal |
Piesoelettrico Langasite La3Ga5SiO14 (LGS) cristallo può essere personalizzato
Cristallo di langasite (La3- Si '.5SiO14,LGS),Il gruppo di riferimento P321, gruppo di riferimento 32, è stato descritto come un nuovo materiale piezoelettrico promettente per la fabbricazione di dispositivi per onde acustiche superficiali (SAW) e di onde acustiche di massa (BAW).I dispositivi realizzati in cristallo di langasite possono essere utilizzati ad alte temperature fino a 900 °C a causa della sua elevata stabilità termica.
Silicato di gallio di lantano (La2- Si '.5SiO14Anche se la langasite è stata inizialmente sviluppata come cristallo laser, ha rivelato una straordinaria combinazione di qualità piezoelettriche,che ha aperto nuove opportunità di utilizzo del cristallo LGS nei dispositivi a radiofrequenzaLe principali applicazioni dei cristalli di langasite sono ora i filtri SAW e i risonatori SAW.Gli esperti sono d'accordo sul fatto che il LGS è la scelta migliore per dispositivi a banda larga ad alta efficienza perché possiede caratteristiche eccezionali di frequenza e temperatura, un indice di accoppiamento elettromeccanico molto elevato e un Q-factor senza pari.
Proprietà principali:
Struttura cristallina | sistema rigonale, gruppo 33 a= 8.1783 c = 5.1014 |
Metodo di crescita | Czochralski |
Durezza | 6.6 Mohs |
Densità | 50,754 g/cm3 |
Punto di fusione | 1470 o C (punto di transizione di fase: N/A) |
Espansione termica (x10-6/ oC) | A 11: 5.10 A 33: 3.61 |
Velocità acustica, SAW | 2400 (m/sec) |
Costante di frequenza, BAW | 1380 (kHz/mm) |
Accoppiamento piezoelettrico | K2 (%) BAW: 2,21 SAW: 0.3 |
Inclusioni | N0 |
Gruppo di punti | 32 |
Gruppo aereo | P32Io... |
resistenza specifica | 4.0×1012Ω/cm-1 |
Spessore | 0.13-0.5 mm |
Diametro | 50 mm |
Distanze | 90-100 mm |
Punto di fusione | 1470°C |
Densità | 50,67 g/cm3 |
Durezza di Mohs | 5.5 |
Coefficiente di espansione termica | aa=16×10-6/K, ac = 4 × 10-6/K |
Limita di danno fotografico | 670MV/cm2 |
Parametri delle celle | a=b=0,8162nm,c=0,5087nm |
Costante dielettrica | ε11= 18.27 |
ε33=55.26 | |
Coefficienti elettro-ottici | Γ11= 2,3 × 10- 12m/V |
Γ33= 1,8 × 10- 12m/V | |
Costante di deformazione piezoelettrica (10- 12) C/N |
d11= 6.3 |
d14=-5.4 | |
Velocità di fase, m/s | 2750 ¢ 2850 |
Coefficiente di accoppiamento elettromeccanico, K[ %] | 0.28-0.46 |
Solubilità | Nessuna |
Coefficiente di espansione termica | α11= 5,15 × 10-6K.-1 |
α33= 3,65 × 10-6K.-1 |
Caratteristiche:
Limite di danno elevato
Buona rotazione ottica
Riesce a sopportare variazioni di temperatura elevate e basse
Proprietà fisiche e chimiche stabili
Coefficiente di accoppiamento elettromeccanico elevato (3 volte quello del quarzo)
Basse resistenze equivalenti in serie
Applicazioni:
di una lunghezza di 20 mm o più ma non superiore a 50 mm
Dispositivo SAW
Dispositivo BAW
Sensore
Laser ad alta potenza ad alta frequenza di ripetizione
Laser ad alta e bassa variazione di temperatura