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LGS Serie Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Materiale NLO attivo

LGS Serie Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Materiale NLO attivo

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	CR201209-03
MOQ:	1pc
prezzo:	USD 500-1500/pc
Tempo di consegna:	4-5 settimane
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

CINESE

Certificazione:

SGS/COC/ROHS

Materiale:

Lunghezza d'onda:

242-3200nm

Distorsione trasmessa di fronte d'onda:

Soglia di danno:

>900MW/cm2 (@1064nm, 10ns)

Evidenziare:

modulatore della cella di Pockels

commutatore delle cellule q del pockel

Materiale attivo del commutatore NLO di Q

Descrizione del prodotto

Cella Pockels a interruttore Q elettro-ottico (EO) della serie LGS

Un nuovo tipo diInterruttore EO Qè progettato utilizzando unLa₃- Si '.₅SiQ₁₄(LGS)Crystal.LGSil cristallo è un tipo di materiale NLO otticamente attivo con soglia di danno molto elevata (circa 9 volte quella del LN), eccellente coefficiente E-O, stabilità ad alta temperatura (meglio del quarzo),l'interruttore Q si basa sul fatto che l'angolo di rotazione totale del piano di polarizzazione è pari a zero, mentre l'onda polarizzata si propaga attraverso la cella di Pockels avanti e indietro, con la rotazione del piano di polarizzazione e l'effetto elettro-ottico simultaneamente esistenti,quindi è ampiamente utilizzato in componenti E-O come modulatore E-O, Q-switch, ecc.

IlSerie LGS (LG-EO-Q)Il Q-switch (Pockels Cell) è un dispositivo elettro-ottico pratico che può essere utilizzato nei laser ad energia di uscita media per sostituire parzialmenteDKDP- eLiNbO₃interruttori di serie Q.

Proprietà di base:

Formula chimica	La3Ga5SiQ14
Struttura cristallina	Trigonale; a=b=7.453Å,c=6.293Å
Densità	50,75 g/cm3
Punto di fusione	1470 °C
Intervallo di trasparenza	242 - 3200 nm
Indice di rifrazione	1.89
Coefficienti elettro-ottici	Gli elementi di cui all'allegato I sono indicati nella tabella di calcolo.
Resistenza	1.7×1010 Ω·cm
Delicescenza	- No, no.
Coefficienti di espansione termica	α11=5,15×10-6 /K (asse Z) ; α33=3,65×10-6 /K (asse Z)

Caratteristiche:

Q-switch basato su LGS (cellula Pockels);
b. "tecnologia" per l'elaborazione di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie".
Distorsione del fronte d'onda trasmessa: < l/4;
Limite di danno: > 900MW/cm²(@1064nm, 10ns, tipico, non garantito);
L'LGS disponibile per i sistemi a media potenza è parzialmenteDKDP- eLiNbO₃interruttori di serie Q.

Tag:

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Interruttore Pockels Cell Q

LGS Serie Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Materiale NLO attivo

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LGS Serie Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Materiale NLO attivo

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	CR201209-03
MOQ:	1pc
prezzo:	USD 500-1500/pc
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

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Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

CINESE

Marca:

Crystro

Certificazione:

SGS/COC/ROHS

Numero di modello:

CR201209-03

Materiale:

LGS

Lunghezza d'onda:

242-3200nm

Distorsione trasmessa di fronte d'onda:

Soglia di danno:

>900MW/cm2 (@1064nm, 10ns)

Quantità di ordine minimo:

1pc

Prezzo:

USD 500-1500/pc

Tempi di consegna:

4-5 settimane

Termini di pagamento:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Evidenziare:

modulatore della cella di Pockels

commutatore delle cellule q del pockel

Materiale attivo del commutatore NLO di Q

Descrizione del prodotto

Cella Pockels a interruttore Q elettro-ottico (EO) della serie LGS

Proprietà di base:

Formula chimica	La3Ga5SiQ14
Struttura cristallina	Trigonale; a=b=7.453Å,c=6.293Å
Densità	50,75 g/cm3
Punto di fusione	1470 °C
Intervallo di trasparenza	242 - 3200 nm
Indice di rifrazione	1.89
Coefficienti elettro-ottici	Gli elementi di cui all'allegato I sono indicati nella tabella di calcolo.
Resistenza	1.7×1010 Ω·cm
Delicescenza	- No, no.
Coefficienti di espansione termica	α11=5,15×10-6 /K (asse Z) ; α33=3,65×10-6 /K (asse Z)

Caratteristiche:

Q-switch basato su LGS (cellula Pockels);
b. "tecnologia" per l'elaborazione di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie" per la "produzione", la "produzione" o la "produzione" di "tecnologie".
Distorsione del fronte d'onda trasmessa: < l/4;
Limite di danno: > 900MW/cm²(@1064nm, 10ns, tipico, non garantito);
L'LGS disponibile per i sistemi a media potenza è parzialmenteDKDP- eLiNbO₃interruttori di serie Q.

Tag:

Cristalli a magneto ottico

Substrati a cristallo singolo

Cristalli ad effetto piezoelettrico

Isolatore di Faraday

Cristalli di scintillazione

Cristali laser

Interruttore Pockels Cell Q

Altri cristalli singoli

Cristallo di TGG

Cristallo di TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristali di commutazione

Cristalli a magneto ottico

Substrati a cristallo singolo

Cristalli ad effetto piezoelettrico

Isolatore di Faraday

Cristalli di scintillazione

Cristali laser

Interruttore Pockels Cell Q

Altri cristalli singoli

Cristallo di TGG

Cristallo di TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristali di commutazione

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LGS Serie Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Materiale NLO attivo

modulatore della cella di Pockels

commutatore delle cellule q del pockel

Materiale attivo del commutatore NLO di Q

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Cristalli a magneto ottico

Substrati a cristallo singolo

Cristalli ad effetto piezoelettrico

Isolatore di Faraday

Cristalli di scintillazione

Cristali laser

Interruttore Pockels Cell Q

Altri cristalli singoli

Cristallo di TGG

Cristallo di TSAG

GGG Crystal

Wafer LaAlO3

Q Cristali di commutazione

LGS Serie Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Materiale NLO attivo

modulatore della cella di Pockels

commutatore delle cellule q del pockel

Materiale attivo del commutatore NLO di Q