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7.09 G/cm3 EPI lucidato 10x10x0,5 mm GSGG monocristallo

7.09 G/cm3 EPI lucidato 10x10x0,5 mm GSGG monocristallo

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	CR200629-04
MOQ:	1pc
Tempo di consegna:	3-4weeks
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

CINESE

Certificazione:

SGS/ROHS

Materiale:

Italiano:

EPI lucidato

Roverezza della superficie:

< 10A per AFM 5x5 microm area

Metodo della crescita dei cristalli:

Czochralski

orientamento:

(100), (111) +/- 0,5°

Tolleranza del diametro:

± 0,05 mm

Tolleranza di lunghezza:

± 0,2 mm

dimensione:

Personalizzato

Imballaggi particolari:

Scatola pulita trasparente

Capacità di alimentazione:

5000 PCS PER MESE

Evidenziare:

GSGG singolo cristallo

Granato di gallio sostituito dal gadolinio

10x10x0

Descrizione del prodotto

7.09 G/cm3 EPI lucidato 10x10x0,5 mm GSGG monocristallo

Il granato di gallio di gadolinio sostituito a cristallo singolo SGGG è coltivato con il metodo di Czochralski.

I granati GGG/SGGG/NGG sono utilizzati per l'epitaxia liquida. I substrati SGGG sono substrati dedicati per pellicole magneto-ottiche.Nei dispositivi di comunicazione ottica,richiedono molto l'uso di 1.3u e 1.Isolatore ottico 5uIl suo componente principale e' una pellicola YIG o BIG che e' stata piazzata in un campo magnetico.

Il substrato SGGG è eccellente per la coltivazione di pellicole epitaxiali di granati di ferro sostituiti con bismuto, è un buon materiale per YIG, BiYIG, GdBIG.

Ha buone proprietà fisiche e meccaniche e stabilità chimica.

Applicazione:

YIG,BIG epitaxy film;

dispositivi a microonde;

Sostituzione del GGG

Proprietà:

Composizione	(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
Struttura cristallina	A = 12,480 Å,
Costante molecolare wDielettrica	968,096
Punto di fusione	~ 1730oC
Densità	~ 7,09 g/cm3
Durezza	~ 7,5 (Mohns)
Indice di rifrazione	1.95
Costante dielettrica	30
Tangente di perdita dielettrica (10 GHz)	circa 3,0 * 10_4
Metodo di crescita dei cristalli	Czochralski
Direzione di crescita dei cristalli	Classificazione:

CRYSTRO fornisce cristallo GGG con:

Orientazione	<111> <100> entro ±15 arc min
Distorsione del fronte d'onda	< 1/4 onda@632
Tolleranza di diametro	± 0,05 mm
Tolleranza di lunghezza	± 0,2 mm
Campione	0.10mm@45o
Piatto	< 1/10 onda a 633 nm
Parallelismo	< 30 secondi di arco
Perpendicolarità	< 15 arc min
Qualità della superficie	10/5 Scratch/Dig
Apertura chiara	> 90%
Grandi dimensioni dei cristalli	20,8-76 mm di diametro

7.09 G/cm3 EPI lucidato 10x10x0,5 mm GSGG monocristallo 0

Tag:

substrato laalo3

elementi di monocristallo

alluminato del lantanio

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7.09 G/cm3 EPI lucidato 10x10x0,5 mm GSGG monocristallo

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7.09 G/cm3 EPI lucidato 10x10x0,5 mm GSGG monocristallo

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	CR200629-04
MOQ:	1pc
Dettagli dell' imballaggio:	Scatola pulita trasparente
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

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CINESE

Marca:

Crystro

Certificazione:

SGS/ROHS

Numero di modello:

CR200629-04

Materiale:

GSGG

Italiano:

EPI lucidato

Roverezza della superficie:

< 10A per AFM 5x5 microm area

Metodo della crescita dei cristalli:

Czochralski

orientamento:

(100), (111) +/- 0,5°

Tolleranza del diametro:

± 0,05 mm

Tolleranza di lunghezza:

± 0,2 mm

dimensione:

Personalizzato

Quantità di ordine minimo:

1pc

Imballaggi particolari:

Scatola pulita trasparente

Tempi di consegna:

3-4weeks

Termini di pagamento:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Capacità di alimentazione:

5000 PCS PER MESE

Evidenziare:

GSGG singolo cristallo

Granato di gallio sostituito dal gadolinio

10x10x0

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Il granato di gallio di gadolinio sostituito a cristallo singolo SGGG è coltivato con il metodo di Czochralski.

Il substrato SGGG è eccellente per la coltivazione di pellicole epitaxiali di granati di ferro sostituiti con bismuto, è un buon materiale per YIG, BiYIG, GdBIG.

Ha buone proprietà fisiche e meccaniche e stabilità chimica.

Applicazione:

YIG,BIG epitaxy film;

dispositivi a microonde;

Sostituzione del GGG

Proprietà:

Composizione	(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
Struttura cristallina	A = 12,480 Å,
Costante molecolare wDielettrica	968,096
Punto di fusione	~ 1730oC
Densità	~ 7,09 g/cm3
Durezza	~ 7,5 (Mohns)
Indice di rifrazione	1.95
Costante dielettrica	30
Tangente di perdita dielettrica (10 GHz)	circa 3,0 * 10_4
Metodo di crescita dei cristalli	Czochralski
Direzione di crescita dei cristalli	Classificazione:

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Orientazione	<111> <100> entro ±15 arc min
Distorsione del fronte d'onda	< 1/4 onda@632
Tolleranza di diametro	± 0,05 mm
Tolleranza di lunghezza	± 0,2 mm
Campione	0.10mm@45o
Piatto	< 1/10 onda a 633 nm
Parallelismo	< 30 secondi di arco
Perpendicolarità	< 15 arc min
Qualità della superficie	10/5 Scratch/Dig
Apertura chiara	> 90%
Grandi dimensioni dei cristalli	20,8-76 mm di diametro

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