Epi Polish Ggg Gd3ga5o12 Substrati monocristallici a bassa perdita ottica

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August 04, 2020
Category Connection: Substrati a cristallo singolo
Brief: Scopri il wafer di silicio monocristallino Si Czochralski COC non drogato da 0,5 mm, con una superficie lucidata e cristalli di silicio ultra-puri. Ideale per semiconduttori, leghe e polimeri, questo wafer offre basse perdite ottiche e alta purezza. Scopri di più sulle sue specifiche e applicazioni in questo video.
Related Product Features:
  • Materiale: silicio ad alta purezza con una lucentezza metallica grigio-bluastra.
  • Tipo di drogaggio: Non drogato per prestazioni ottimali del semiconduttore.
  • Intervallo di resistività: 102~104 Ω.cm per applicazioni versatili.
  • Direzioni cristallografiche: <111>, <100>, <110> ±0.5° per precisione.
  • Misure disponibili: Diametro da 2" a 8" con spessore 0,5 mm.
  • Opzioni di superficie: Uno o due lati lucidati per flessibilità.
  • Metodo di crescita: Czochralski per cristalli singoli di alta qualità.
  • Livello di purezza: 99,999% per prestazioni superiori nei semiconduttori.
Interrogazioni:
  • Qual è l'intervallo di resistività del wafer di silicio Czochralski COC non drogato?
    L'intervallo di resistività è 102~104 Ω.cm, rendendolo adatto a diverse applicazioni nei semiconduttori.
  • Quali sono le dimensioni disponibili per questo wafer di silicio?
    Il wafer è disponibile in diametri di 2", 3", 4", 5", 6" e 8" con uno spessore standard di 0,5 mm.
  • La superficie del wafer è lucidata?
    Sì, il wafer può essere fornito con una o entrambe le facce lucidate, a seconda delle tue esigenze.
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