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Dettagli:
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| Materiale: | 9 x 9 cristallo di X.25 millimetro LiNbO3 per il commutatore di EO Q | Origine: | La Cina |
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| Crystal Sturucture: | Trigonal, gruppo di spazio R3c, gruppo del punto 3m | Punto di fusione: | 1253℃ |
| Deliquescenza: | Nessuno | Gamma della trasparenza: | 420-5200nm |
| Coefficiente di assorbimento: | ~0.1%/cm @1064nm | Indici di rifrazione: | ne=2.156, no= 2.232@1064nm |
| Evidenziare: | Cristallo del commutatore linbo3 di Q,EO linbo3 di cristallo,cristalli di effetto piezoelettrico di EO |
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9 x 9 cristallo di X.25 millimetro LiNbO3 per il commutatore di EO Q
LiNbO3 è inoltre ampiamente usato come i modulatori ed O-commutatori elettroottici per ND: YAG, ND: YLF e Ti: Laser come pure modulatori dello zaffiro per le fibre ottiche. La seguente lista che della tavola le specifiche di un cristallo tipicodi LiNbO3 hanno usato come Q-commutatore con modulazione trasversale di E-O. Le propagazioni leggere nell'z-asse. I coefficienti elettroottici di LiNbO3 sono: pm/Vdelle r33=32, pm/Vdeller31=10, pm/Vdeller22=6,8apm/Vdellereda bassa frequenza33=31, pm/Vdeller31=8,6, pm/Vdeller22=3,4adaltafrequenzaelettrica. Latensionea semi onda: Vπ =λd/no3γc1, γc = (ne/no) 3γ33-γ13.
Sia LN puro che LN verniciato MgO (MgO: I cristalli di LN) con i rivestimenti dell'oro sulle superfici laterali per gli elettrodi sono disponibili
Crystro fornisce:
Specifiche delle componenti di LN EO:
| Distorsione di fronte d'onda: | Di meno che λ/8 @ 633 nanometro |
| Tolleranza di dimensione: | (W+/-0.1 millimetro) x (H+/-0.1 millimetro) x (L+0.5/-0.1 millimetro) |
| Chiara apertura: | > zona centrale di 90% |
| Planarità: | λ/8 @ 633 nanometro |
| Qualità di superficie: | Graffio/vangata 10/5 per MIL-O-13830A |
| Parallelismo: | migliore di 20 secondi dell'arco |
| Perpendicularity: | 5 minuti dell'arco |
| Tolleranza di angolo: | Δθ < 0="">o, Δφ < 0="">o |
LiNbO3 specifiche del Q-commutatore:
| Dimensione | 9 x 9 X.25 millimetri3 o 4 x 4 x 15 millimetri3 |
| L'altra dimensione è disponibile su richiesta | |
| Tolleranza della dimensione | Z-asse: ± 0.2mm |
| Ascissa e asse y: ± 0.1mm | |
| Chanfer | meno di 0,5 millimetri a |
| Accuratezza dell'orientamento | Z-asse: < ′ ±5, ascissa e asse y: < ±10 ′ |
| Parallelismo | <20 ′ del ′ |
| Rivestimento | 10/5 graffio/di vangata |
| Planarità | λ/8 a 633nm |
| AR-rivestimento | R<0.2% @1064nm |
| Elettrodi | Oro/cromato sui X-fronti |
| Distorsione di fronte d'onda | <λ/4 @633nm |
| Rapporto di estinzione | >400:1 @633nm, fascio del φ 6mm |
Persona di contatto: Ms. Wu
Telefono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
