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Dettagli:
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Oggetto: | Cristallo del grado LiNbO3 della SEGA | Punto di fusione: | 1253℃ |
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Crystal Sturucture: | Trigonal, gruppo di spazio R3c, gruppo del punto 3m | Densità: | 4.64g/cm3 |
Gamma della trasparenza: | 420-5200nm | Coefficiente di assorbimento: | ~0.1%/cm @1064nm |
Indici di rifrazione: | ne=2.156, no= 2.232@1064nm | Origine: | La Cina |
Evidenziare: | Wafer del grado linbo3 della SEGA,Wafer del niobato di litio del grado della SEGA,wafer ottico LiNbO3 di acousto |
Cristallo del grado LiNbO3 della SEGA
Il cristallodi LiNbO3 combina il basso costo, buone proprietà meccaniche e fisiche come pure alta omogeneità ottica. Di conseguenza, LiNbO3 cunei è stato ampiamente usato negli isolatori e nelle circolatori della fibra.
LiNbO3 è inoltre un buon cristallo acustoottico ed usato per il wafer dell'onda acustica di superficie (SEGA) ed i modulatori di A-O. Crystro fornisce il grado acustico LiNbO (della SEGA)3 cristalli in wafer, in boules come tagliati, nelle componenti finite e negli elementi fabbricati su ordinazione.
L'Anhui Crystro partecipa alle mostre di generi ogni anno: Mondo del laser della fotonica Monaco di Baviera, Shanghai, ovest di fotonica a San Francisco, CIOE a Shenzhen, ecc.
Crystro fornisce:
Proprietà tipiche della SEGA
Tipo tagliato | SEGA Velocità Contro (m/s) | Elettromeccanico Fattore di accoppiamento K2s (%) | Temperatura Coefficiente di Velocità /℃ di TCV (10-6) | Temperatura Coefficiente di Ritardo /℃ di TCD (10-6) |
127,86 ° Y-X | 3970 | 5,5 | -60 | 78 |
Y-X | 3485 | 4,3 | -85 | 95 |
Specifiche tipiche
Specifiche | Boule | Wafer | ||
Diametro | Φ3» | Φ4» | Φ3» | Φ4» |
Lunghezza o spessore (millimetri) | ≤100 | ≤50 | 0.35-0.5 | |
Orientamento | 127.86°Y, 64°Y, 135°Y, X, Y, Z e l'altro taglio | |||
Orientamento di Ref.Flat | X, Y | |||
Lunghezza di Ref.Flat | 22±2mm | 32±2mm | 22±2mm | 32±2mm |
Lucidatura di Front Side | / | Lo specchio ha lucidato 5-15 Å | ||
Avvolgimento laterale posteriore | / | 0.3-1.0μm | ||
Planarità (μm) | / | ≤15 | ||
Arco (μm) | / | ≤25 |
Crystro può offrire l'altre dimensione e specificazione dei wafer su richiesta.
Crystal Structure | Trigonal, gruppo di spazio R3C, gruppo del punto 3m |
Parametri delle cellule | a=5.148 Å, c=13.863 Å |
Punto di fusione | 1253oC |
Temperatura di curie | 1140oC |
Durezza di Mohs | 5 |
Densità: | 4,64 g/cm3 |
Deliquescenza | Nessuno |
Omogeneità ottica | ~ 5x10-5 /cm |
Gamma della trasparenza | 420 -- 5200 nanometro |
Coefficiente di assorbimento | ~0.1%/cm @ 1064 nanometro |
Indici di rifrazione a 1064nm (LN puro) |
ne= 2,146, no = 2,220 @ 1300 nanometro Ne = 2,156, no = 2,232 @ 1064 nanometro Ne = 2,203, no = 2,286 @ 632,8 nanometro |
Coefficiente di espansione termica (@ 25oC) |
//a, 2.0x10-6/K |
//c, 16.7x10-6/K | |
Coefficiente di conducibilità termica: | 38 W/m/K a 250 oC |
Coefficiente ottico termico | dno/dT=-0.874x10-6/K a µm 1,4 dne/dT=39.073x10-6/K a µm 1,4 |
Le equazioni di Sellmeier (LN puri)) (λ nel µm) |
no2= 4.9048+0.11768/(λ2-0,04750)- 0.027169λ2 Ne2= 4.5820+0.099169/(λ2-0,04443)- 0.021950λ2 |
Persona di contatto: Ms. Wu
Telefono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588