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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Materiale: | LiNbO3 cristallo X tagliato del niobato di litio di spessore dei wafer 0.5mm | Qualità di superficie: | 20/10 |
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| AR-rivestimento: | R<0.2% @1550nm±40nm | Diametro: | fino a 4inch |
| Spessore: | 0.5mm/1mm | Origine: | La Cina |
| Consegna: | 1-4 settimane | Imballaggio: | singolo contenitore per ogni substrato, imballato in borsa riempita di gas inerte. |
| Evidenziare: | Cristallo non lineare del niobato di litio,Cristallo non lineare LiNbO3,Cristallo del filtro LiNbO3 dalla SEGA |
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Cristallo non lineare di vendita LiNbO3 di prezzo franco fabbrica
Il cristallo del niobio del litio (LN) LiNbO3 è ampiamente usato nel filtro dalla SEGA, in guida d'onda ottica, nel modulatore di fotoelettricità, nel trasduttore di moltiplicazione di frequenza e nella memorizzazione dei dati come cristallo funzionale con la caratteristica fisica eccellente di anti temperatura elevata e di anti ulcera.
Ha prestazione meccanica stabile e comparirà dispositivo speciale differente dopo la verniciatura diversamente.
Il cristallodi LiNbO3 combina il basso costo, buone proprietà meccaniche e fisiche come pure alta omogeneità ottica. Di conseguenza, LiNbO3 cunei è stato ampiamente usato negli isolatori e nelle circolatori della fibra.
Le applicazioni possibili:
Proprietà di base di LiNbO3
| Crystal Sturucture | Trigonal, gruppo di spazio R3c, gruppo del punto 3m |
| Punto di fusione | 1253℃ |
| Durezza di Mohs | 5 |
| Densità | 4.64g/cm3 |
| Deliquescenza | Nessuno |
| Omogeneità ottica | ~5x10-5/cm |
| Gamma della trasparenza | 420-5200nm |
| Coefficiente di assorbimento | ~0.1%/cm @1064nm |
| Indici di rifrazione a 1064nm | Ne =2.146, no = 2.220@1300nm Ne =2.156, no = 2.232@1064nm Ne =2.203, no = 2.286@632.8nm |
| Coefficienti di espansione termica (a 25℃) | //a, 2.0x10-6/K //a, 2.2x10-6/K |
| Coefficienti di conducibilità termica | 38 W/m/K a 25℃ |
| Coefficienti ottici termici | dno/dT =-0.874/K di x 10-6a1.4μm dne/dT =39.073/K di x 10-6a1.4μm |
| Le equazioni di Sellmeier (λ nel μm) | nessun 2=4.9048+0.11768/(Ne0.027169λ2 2=4.5820+0.099169/(λ2-0,04443)deiλ2-0,04750)--0.02195λ2 |
Specificazione dei wafer LiNbO3:
| Orientamento | ±0.2° X&Z tagliato |
| Diametro | 50.8mm/76.2 mm/100mm ±0.3 millimetro |
| Piano di orientamento (DI) | perpendicolare di 22mm ±2 mm/32mm ±2 millimetro alla X ±0.2° |
| In secondo luogo Refer.Flat (rf) | Cw225°±0.5°from di Cw315°±0.5°from DI |
| Spessore | 250um/500um/1000um ±5um o più |
| Qualità di superficie | I doppi lati hanno lucidato; S/D: 20/10 |
| TTV | ≤10um |
| FILO DI ORDITO | ≤50um |
| Temperatura di curie | 1142℃± 0.7℃ |
| Indice di rifrazione | accoppiatore method@632.8nm del prisma di n.=2.2878±0.0002 n.=2.2033±0.0002 |
| Smussatura del bordo | Bordo Roundind |
Persona di contatto: Ms. Wu
Telefono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
