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Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O

Name: Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: CR210816-01
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	CR210816-01
MOQ:	1pc
prezzo:	USD 20-200/pc
Tempo di consegna:	3-5 settimane
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

CINESE

Certificazione:

SGS/COC

Materiale::

LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O

Durezza di Mohs:

5.5

Diametro:

Φ4''-6'

Tol ((±):

< 0,20 mm

Spessore:

0.18 ~ 0,5 mm o più

Piano primario:

22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm

LTV (5mmx5mm):

< 1 μm

TTV:

3 μm

Imballaggi particolari:

Scatola pulita trasparente

Capacità di alimentazione:

2000 pezzi al mese

Evidenziare:

Wafer di litio tantanlato LiTaO3

Cristali di LiTaO3 dopati con Fe

Dispositivi E-O LiTaO3 Cristalli

Descrizione del prodotto

LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O

LiTaO₃è un cristallo E-O ampiamente utilizzato per dispositivi E-O, a causa delle sue buone proprietà ottiche NLO ed E-O, nonché dell'elevata soglia di danno.₃per le applicazioni standard, con le seguenti specifiche:

Crystro.Fe:LitaO3Il diametro massimo raggiunge i 6 pollici, Crystro può offrire vari tipi di dimensioni per esigenza.

Anhui Crystro partecipa alle mostre di ogni tipo ogni anno: Laser World of Photonics Munich, Shanghai, Photonics West a San Francisco, CIOE a Shenzhen, ecc. Non vediamo l'ora di incontrarvi.

Specificità tipiche:

Materiale	Wafer LiTaO3 ((bianche o nere dopate con Fe)
Temperatura di Curie	603±2°C
Angolo di taglio	X/Y/Z/X112Y/Y36/Y42/Y48/etc.
Diametro/dimensione	Wafer da 2 ′′/3 ′′/4 ′′ LT o di altra dimensione
Tol ((±)	< 0,20 mm
Spessore	0.18 ~ 0,5 mm o più
Piano primario	22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm
LTV (5mmx5mm)	< 1 μm
TTV	3 μm
Inchinati.	- Trenta
Warp.	< 40 μm
PLTV ((<0,5um)	≥ 95% ((5 mm*5 mm)
Orientazione piatta	Tutti disponibili
Tipo di superficie	Polito su un solo lato/polito su due lati
Lato lucidato Ra	< 0,5 nm
Criteri sul retro	Generalmente 0,2-0,5 μm o su misura
Criteri di bordo	R=0,2 mm o Bullnose
Fe dopato	Fe dopato per wafer di tipo segatura LN<
Criteri di superficie dei wafer	Trasmissività	generale:5.9x10- 11~~- 10a 25°C~~
	Contaminazione,	Nessuna
	Particolato ¢> 0,3 μm	> 30
	Scratch, Chipping.	Nessuna
	Difetto	Nessuna crepa sul bordo, graffi, seghe di sega, macchie

Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O 0

Tag:

cristalli dei lgs

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Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O

Marchio:	Crystro
Numero di modello:	CR210816-01
MOQ:	1pc
prezzo:	USD 20-200/pc
Dettagli dell' imballaggio:	Scatola pulita trasparente
Condizioni di pagamento:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Informazioni dettagliate

Descrizione del prodotto

Informazioni dettagliate

Luogo di origine:

CINESE

Marca:

Crystro

Certificazione:

SGS/COC

Numero di modello:

CR210816-01

Materiale::

LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O

Durezza di Mohs:

5.5

Diametro:

Φ4''-6'

Tol ((±):

< 0,20 mm

Spessore:

0.18 ~ 0,5 mm o più

Piano primario:

22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm

LTV (5mmx5mm):

< 1 μm

TTV:

3 μm

Quantità di ordine minimo:

1pc

Prezzo:

USD 20-200/pc

Imballaggi particolari:

Scatola pulita trasparente

Tempi di consegna:

3-5 settimane

Termini di pagamento:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Capacità di alimentazione:

2000 pezzi al mese

Evidenziare:

Wafer di litio tantanlato LiTaO3

Cristali di LiTaO3 dopati con Fe

Dispositivi E-O LiTaO3 Cristalli

Descrizione del prodotto

LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O

Crystro.Fe:LitaO3Il diametro massimo raggiunge i 6 pollici, Crystro può offrire vari tipi di dimensioni per esigenza.

Anhui Crystro partecipa alle mostre di ogni tipo ogni anno: Laser World of Photonics Munich, Shanghai, Photonics West a San Francisco, CIOE a Shenzhen, ecc. Non vediamo l'ora di incontrarvi.

Specificità tipiche:

Materiale	Wafer LiTaO3 ((bianche o nere dopate con Fe)
Temperatura di Curie	603±2°C
Angolo di taglio	X/Y/Z/X112Y/Y36/Y42/Y48/etc.
Diametro/dimensione	Wafer da 2 ′′/3 ′′/4 ′′ LT o di altra dimensione
Tol ((±)	< 0,20 mm
Spessore	0.18 ~ 0,5 mm o più
Piano primario	22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm
LTV (5mmx5mm)	< 1 μm
TTV	3 μm
Inchinati.	- Trenta
Warp.	< 40 μm
PLTV ((<0,5um)	≥ 95% ((5 mm*5 mm)
Orientazione piatta	Tutti disponibili
Tipo di superficie	Polito su un solo lato/polito su due lati
Lato lucidato Ra	< 0,5 nm
Criteri sul retro	Generalmente 0,2-0,5 μm o su misura
Criteri di bordo	R=0,2 mm o Bullnose
Fe dopato	Fe dopato per wafer di tipo segatura LN<
Criteri di superficie dei wafer	Trasmissività	generale:5.9x10- 11~~- 10a 25°C~~
	Contaminazione,	Nessuna
	Particolato ¢> 0,3 μm	> 30
	Scratch, Chipping.	Nessuna
	Difetto	Nessuna crepa sul bordo, graffi, seghe di sega, macchie

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