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Un buon prezzo.  in linea

Dettagli dei prodotti

Created with Pixso. Casa. Created with Pixso. prodotti Created with Pixso.
Cristalli ad effetto piezoelettrico
Created with Pixso. Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O

Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O

Marchio: Crystro
Numero di modello: CR210816-01
MOQ: 1pc
prezzo: USD 20-200/pc
Tempo di consegna: 3-5 settimane
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
CINESE
Certificazione:
SGS/COC
Materiale::
LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O
Durezza di Mohs:
5.5
Diametro:
Φ4''-6'
Tol ((±):
< 0,20 mm
Spessore:
0.18 ~ 0,5 mm o più
Piano primario:
22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm
LTV (5mmx5mm):
< 1 μm
TTV:
3 μm
Imballaggi particolari:
Scatola pulita trasparente
Capacità di alimentazione:
2000 pezzi al mese
Evidenziare:

Wafer di litio tantanlato LiTaO3

,

Cristali di LiTaO3 dopati con Fe

,

Dispositivi E-O LiTaO3 Cristalli

Descrizione del prodotto

LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O

 

LiTaO3è un cristallo E-O ampiamente utilizzato per dispositivi E-O, a causa delle sue buone proprietà ottiche NLO ed E-O, nonché dell'elevata soglia di danno.3per le applicazioni standard, con le seguenti specifiche:

 

Crystro.Fe:LitaO3Il diametro massimo raggiunge i 6 pollici, Crystro può offrire vari tipi di dimensioni per esigenza.

Anhui Crystro partecipa alle mostre di ogni tipo ogni anno: Laser World of Photonics Munich, Shanghai, Photonics West a San Francisco, CIOE a Shenzhen, ecc. Non vediamo l'ora di incontrarvi.

 

Specificità tipiche:

 

Materiale Wafer LiTaO3 ((bianche o nere dopate con Fe)
Temperatura di Curie 603±2°C
Angolo di taglio X/Y/Z/X112Y/Y36/Y42/Y48/etc.
Diametro/dimensione Wafer da 2 ′′/3 ′′/4 ′′ LT o di altra dimensione
Tol ((±) < 0,20 mm
Spessore 0.18 ~ 0,5 mm o più
Piano primario 22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm
LTV (5mmx5mm) < 1 μm
TTV 3 μm
Inchinati. - Trenta
Warp. < 40 μm
PLTV ((<0,5um) ≥ 95% ((5 mm*5 mm)
Orientazione piatta Tutti disponibili
Tipo di superficie Polito su un solo lato/polito su due lati
Lato lucidato Ra < 0,5 nm
Criteri sul retro Generalmente 0,2-0,5 μm o su misura
Criteri di bordo R=0,2 mm o Bullnose
Fe dopato Fe dopato per wafer di tipo segatura LN<
Criteri di superficie dei wafer Trasmissività generale:5.9x10- 11- 10a 25°C
Contaminazione, Nessuna
Particolato ¢> 0,3 μm > 30
Scratch, Chipping. Nessuna
Difetto Nessuna crepa sul bordo, graffi, seghe di sega, macchie

 

Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O 0

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Created with Pixso. Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O

Fe dopato LiTaO3 cristalli Wafer di tantalato di litio per dispositivi E-O

Marchio: Crystro
Numero di modello: CR210816-01
MOQ: 1pc
prezzo: USD 20-200/pc
Dettagli dell' imballaggio: Scatola pulita trasparente
Condizioni di pagamento: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
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Luogo di origine:
CINESE
Marca:
Crystro
Certificazione:
SGS/COC
Numero di modello:
CR210816-01
Materiale::
LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O
Durezza di Mohs:
5.5
Diametro:
Φ4''-6'
Tol ((±):
< 0,20 mm
Spessore:
0.18 ~ 0,5 mm o più
Piano primario:
22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm
LTV (5mmx5mm):
< 1 μm
TTV:
3 μm
Quantità di ordine minimo:
1pc
Prezzo:
USD 20-200/pc
Imballaggi particolari:
Scatola pulita trasparente
Tempi di consegna:
3-5 settimane
Termini di pagamento:
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Capacità di alimentazione:
2000 pezzi al mese
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,

Cristali di LiTaO3 dopati con Fe

,

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LiTaO3 cristalli di litio Tantanlato Wafer utilizzato per dispositivi E-O

 

LiTaO3è un cristallo E-O ampiamente utilizzato per dispositivi E-O, a causa delle sue buone proprietà ottiche NLO ed E-O, nonché dell'elevata soglia di danno.3per le applicazioni standard, con le seguenti specifiche:

 

Crystro.Fe:LitaO3Il diametro massimo raggiunge i 6 pollici, Crystro può offrire vari tipi di dimensioni per esigenza.

Anhui Crystro partecipa alle mostre di ogni tipo ogni anno: Laser World of Photonics Munich, Shanghai, Photonics West a San Francisco, CIOE a Shenzhen, ecc. Non vediamo l'ora di incontrarvi.

 

Specificità tipiche:

 

Materiale Wafer LiTaO3 ((bianche o nere dopate con Fe)
Temperatura di Curie 603±2°C
Angolo di taglio X/Y/Z/X112Y/Y36/Y42/Y48/etc.
Diametro/dimensione Wafer da 2 ′′/3 ′′/4 ′′ LT o di altra dimensione
Tol ((±) < 0,20 mm
Spessore 0.18 ~ 0,5 mm o più
Piano primario 22 mm / 32 mm / 42,5 mm / 57,5 mm
LTV (5mmx5mm) < 1 μm
TTV 3 μm
Inchinati. - Trenta
Warp. < 40 μm
PLTV ((<0,5um) ≥ 95% ((5 mm*5 mm)
Orientazione piatta Tutti disponibili
Tipo di superficie Polito su un solo lato/polito su due lati
Lato lucidato Ra < 0,5 nm
Criteri sul retro Generalmente 0,2-0,5 μm o su misura
Criteri di bordo R=0,2 mm o Bullnose
Fe dopato Fe dopato per wafer di tipo segatura LN<
Criteri di superficie dei wafer Trasmissività generale:5.9x10- 11- 10a 25°C
Contaminazione, Nessuna
Particolato ¢> 0,3 μm > 30
Scratch, Chipping. Nessuna
Difetto Nessuna crepa sul bordo, graffi, seghe di sega, macchie

 

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