|
Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
|
| Prodotto: | Alto rendimento Gd3Al2Ga3O12 di Efficiencyht dell'emissione di luce: Ce (GAGG: Ce) Crystal Wafer | Formular chimico: | Gd3Al2Ga3O12 |
|---|---|---|---|
| Densità: | 6.63g/cm3 | Tolleranza di dimensione: | ±0.05mm |
| Qualità di superficie: | 10/5 | Chiara apertura: | >90% |
| Charmfer: | <0> | Applicazione: | PET, SPECT, CT. |
| Evidenziare: | Cristalli di Scintilation del Ce di GAGG,Cristalli di Scintilation del Ce Gd3Al2Ga3O12,Alto Ce dell'emissione di luce GAGG |
||
Alto rendimento Gd3Al2Ga3O12 di Efficiencyht dell'emissione di luce: Ce (GAGG: Ce) Crystal Wafer
GAGG (Ce) (Ce: GAGG, Gd3Al2Ga3O12) è nuovo scintillatore per rilevazione dell'elettrone di tomografia a emissione di fotone singolo (SPECT), dei raggi gamma e di Compton. GAGG verniciati cerio hanno molte proprietà che lo rendono adatto ad applicazioni della spettroscopia e di imaging biomedico di gamma. Un alto picco intorno 520 nanometro del rendimento e dell'emissione del fotone rende il materiale ben adattato per essere la lettura dai rivelatori del fotomoltiplicatore del silicio.
Alta densità
Alto rendimento leggero
Tempo di decadimento veloce
Chimicamente inerte
Alta sensibilità
Risoluzione di alta energia
Vantaggi principali:
Applicazioni principali:
Proprietà principali:
| Formula chimica | ₂ del ₁ del ₃ O del ₂ GA di Al del ₃ di Gd |
| Numero atomico (efficace) | 54,4 |
| Metodo di crescita | Czochralski |
| Densità | 6.63g/cm3 |
| Durezza di Mohs | 8 |
| Punto di fusione | 1850℃ |
| Coefficienti di espansione termica. | TBA x un ⁶ di 10 ‾ |
Specifiche:
| Smusso | <0> |
| Tolleranza di orientamento | < 0=""> |
| Tolleranza diametro/di spessore | ±0.05 millimetro |
| Chiara apertura | >90% |
| Distorsione di fronte d'onda | diametro 70mm |
| Qualità di superficie | 10/5 (graffio/vangata) |
| Parallelo | 10 ″ |
| Perpendicolare | 5 ′ |
Persona di contatto: Ms. Wu
Telefono: 86-18405657612
Fax: 86-0551-63840588
