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Dettagli:
Termini di pagamento e spedizione:
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| Materiale: | LGS | Lunghezza d'onda: | 242-3200nm |
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| Distorsione trasmessa di fronte d'onda: | Soglia di danno: | >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns) | |
| Evidenziare: | modulatore della cella di Pockels,commutatore delle cellule q del pockel,Materiale attivo del commutatore NLO di Q |
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Cella di Pockels elettroottica del Q-commutatore di serie di LGS (EO)
Un nuovo genere di Q-commutatore di EO è progettato per mezzo di un cristallodella La3GA5SiQ14 (LGS). L'a cristallo di LGS è un genere di materiale otticamente attivo di NLO con la soglia di danno molto alta (circa 9 volte come quella di LN), il coefficiente eccellente di E-O, la stabilità ad alta temperatura (migliore del quarzo), il Q-commutatore è basato sulla considerazione che l'angolo totale di rotazione dell'aereo di polarizzazione è zero, mentre le propagazioni polarizzate dell'onda attraverso la cella di Pockels avanti e indietro, con la rotazione dell'aereo di polarizzazione e l'effetto elettroottico che esistono simultaneamente, quindi è ampiamente usate nelle componenti di E-O quali il modulatore di E-O, il Q-commutatore, ecc.
Il Q-commutatore di serie di LGS (LG-EO-Q) (cella di Pockels) è un dispositivo elettroottico pratico che può essere utilizzato nei laser medi di energia dell'uscita parzialmente per sostituire DKDP e LiNbOi Q-commutatori di3 serie.
Proprietà di base:
| Formula chimica | La3Ga5SiQ14 | |
| Crystal Structure | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
| Densità | 5,75 g/cm3 | |
| Punto di fusione | °C 1470 | |
| Gamma della trasparenza | 242 - 3200 nanometro | |
| Indice di rifrazione | 1,89 | |
| Coefficienti elettroottici | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
| Resistività | 1.7×1010 Ω·cm | |
| Deliquescenza | Nessun | |
| Coefficienti di espansione termica | α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-asse); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-asse) | |
Caratteristiche:
